IS43R86400E-5BLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Deutsch
Artikelnummer: | IS43R86400E-5BLI-TR |
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Hersteller / Marke: | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 2.3V ~ 2.7V |
Technologie | SDRAM - DDR |
Supplier Device-Gehäuse | 60-TFBGA (8x13) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 60-TFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 64M x 8 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 200 MHz |
Grundproduktnummer | IS43R86400 |
Zugriffszeit | 700 ps |
IS43R86400E-5BLI-TR Einzelheiten PDF [English] | IS43R86400E-5BLI-TR PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 200MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
512M, 2.5V, DDR, 64Mx8, 166MHz,
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
2024/05/16
2024/04/25
2024/11/4
2024/07/9
IS43R86400E-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
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Zielpreis (USD)
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